美光全球首发232层TLC闪存:性能翻倍、密度最高
美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer表示232层闪存是存储芯片创新的分水岭,首次证明了3D闪存有扩展到200层以上的能力。
指标方面,美光表示其232层TLC闪存引入了业内最快的IO速度,可达2.4GB/s,比上代的176层闪存高出50%,同时写入带宽提升100%,读取带宽提升75%。
美光的232层闪存还是全球首个六平面TLC闪存,在TLC闪存中平面最多,而且每个平面都可以独立读取,高IO速度、低延迟及六平面结构相结合使得232层闪存可以提供一流的数据传输能力。
此外,美光的232层闪存还是首款支持NV-LPDDR4,后者是一种低压接口,相比之前的IO接口,每比特的能效提升30%以上。
其他方面,美光的232层TLC闪存还是有史以来密度最高的,达到了14.6Gb/mm2,比当前的TLC闪存高出35-100%,而232层闪存使用了11.5x13.5mm封装,尺寸比前代产品小了28%,是市面上最小面积的高密度闪存,可以减少对电路板空间的占用。
目前美光的232层闪存已经在新加披工厂量产,最初会由美光旗下的英睿达品牌推出消费级SSD,后续再公告其他产品。
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